Теория невырожденного p-n-перехода
Обмен учебными материалами


Теория невырожденного p-n-перехода



Вследствие существования градиента концентрации электронов и дырок в об­ласти p-n-перехода происходит процесс диффузии основных носите­лей в тот полупроводник, где их мало. При этом электроны из n-полупроводника уходят в р-полупроводник, оставляя неподвижные ионы доноров с положительным зарядом. Дырки из р-полупроводника уходят в n-полупроводник, ос­тавляя неподвижные ионы акцепторов с отрицательным зарядом. На границе воз­никают области объёмных зарядов, которые образуют двойной электрический слой толщиной 0,1 – 1 мкм с контактной разностью потенциалов Uк. На рис. 1 показано равновесное распределение по­тенциала электрического поля и потенциальной энергии электронов и дырок W=qj в p-n-переходе. Диффундируя, электроны и дырки рекомбинируют друг с другом. Поэтому p-n-переход оказывается сильно обеднённым носителями заряда и приобретает большое сопротивление. Контактное электрическое поле препятствует дальнейшей взаимной диффузии основных носителей. Возникает потенциальный барьер qUк как для электронов, так и для дырок. Некоторому количеству основных носителей удаётся преодолеть этот потенциальный барьер, возникает малый ток диффузии Iдиф. Контактное поле способствует встречному дрейфу неосновных носителей, возникает ток дрейфа Iдрейф.

Рисунок 1

При динамическом равновесии ток диффузии равен току дрейфа: Iдиф=Iдрейф. Результирующий ток равен нулю. Количество основных носителей заряда, которые могут преодолеть потенциальный барьер вследствие теплового движения, определяется законом Больцмана. Поэтому сила тока диффузии, пропорциональная числу диффундировавших электронов и дырок,

, (1)

где I0 – константа, зависящая от природы контактирующих полупроводников, qUк – высота потенциального барьера, kТ – мера тепловой энергии.

Рассмотрим влияние внешнего электрического поля . Пусть к переходу приложено прямое напряжение U: потенциал n-области – отрицательный, потенциал р-области – положительный. Внешнее поле ослабляет контактное, уменьшается высота потенциального барьера, ток диффузии возрастает (см. рисунок 2). Ток дрейфа (неосновных носителей, увлекаемых полем) не изменяется, оставаясь малым, поскольку мала концентрация неосновных носителей заряда.



Рисунок 2

Уравнение результирующего тока через p-n-переход

. (2)

Результирующее электрическое поле при U > Uк «поджимает» основные носители к границе, уменьшается ширина перехода, обедненного носителями, уменьшается сопротивление перехода.

Если к переходу приложено обратное напряжение, то внешнее поле совпадает с контактным (рисунок 3). Возрастает потенциальный барьер, уменьшается ток диффузии. Сила тока дрейфа (неоснов­ных носителей) не изменяется, оставаясь малой по величине. Она не зависит от высоты потенциального барьера, с которого неосновные носители «скатываются». Результирующий ток по-прежнему определяется формулой (2), в ко­торой внешнюю разность потенциалов U следует считать отрицательной.

Рисунок 3

Зависимость силы тока через электронно-дырочный переход от приложенного напряжения (16.2) есть вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода (рисунок 16.4). При U=0 сила тока равна нулю. Ток диффузии основных носителей и ток дрейфа неосновных носителей скомпенсированы. С ростом положительного прямого напряжения U сила тока сначала возрастает медленно. Когда внешнее напряжение превысит контактное (U>Uк), сила тока возрастает очень быстро, по экспоненциальному закону:

Рисунок 4

, (3)

так как током дрейфа, то есть единицей в скобках уравнения (2), можно пренебречь.

При увеличении обратного напряжения сила тока диффузии быстро падает до нуля. Например, при комнатной температуре kТ » 0,025 эВ и уже при U= –0,1 B ток диффузии составляет е–4 = 0,013 от тока дрейфа. Результирующая сила тока становится постоянной и равной силе тока дрейфа неосновных носителей, которая мала. При некотором обратном напряжении Uпроб возможен электрический пробой электронно-дырочного перехода, и ток лавинно нарастает.

Таким образом, электронно-дырочный переход обладает нелинейной ВАХ. При прямом напряжении он, обладая малым сопротивлением, может пропускать большие токи, при обратном – очень малые. Поэтому p-n-переход является выпрямляющим контактом и используется для выпрямления переменного тока в полупроводниковых диодах.


Последнее изменение этой страницы: 2018-09-12;


weddingpedia.ru 2018 год. Все права принадлежат их авторам! Главная